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　　Display 產(chǎn)線上使用的Mask 為兩種：Array 段和CF 段 (TFT-LCD)用的、以石英玻璃為基礎(chǔ)材料的曝光Photomask; 和AMOLED 段以金屬為基本材料的Mask (Open Mask & FMM)。

　　Array 段用的曝光Mask 為阻光曝光用，其基本材料為石英玻璃，通過在玻璃上制作金屬鉻Cr 作為光遮蓋。

　　在使用時Cr 面與PR 膠接觸進(jìn)行曝光。Photomask 可以進(jìn)一步被分為Binary Mask 和Half-tone Mask(3)：

　　• Binary Mask: 該類型mask 上區(qū)域分為全透光區(qū)域和不透明區(qū)域。

　　• Half-tone Mask: 除去以上兩個區(qū)域外，該Mask 上還存在半透明區(qū)域。通過控制半透明區(qū)域的光透過量可以控制下方PR 膠刻蝕后的圖案的高度。該Mask 亦被稱為Gray-Scale Mask 和D Mask。

　　Fig L Binary Mask 和Half-tone Mask(3)

　　Table L1 PhotoMask 主要參數(shù)(3)

　　**Soda: Sodium Carbonate

　　Open Mask 和FMM 材料為合金，其材質(zhì)一般為因瓦合金，簡稱為INVAR。INVAR 為是鎳Ni 含量為35.4%左右的鐵合金， 且在-20℃~20℃下熱膨脹系數(shù)平均值為1.6 × 10-6/℃。

　　Open Mask 主要使用與AMOLED 中HIL、HTL 和金屬的蒸鍍。在AMOLED 技術(shù)的WLOED 中亦得到廣泛的運用。Open Mask 其與FMM 主要區(qū)別是精度上的差異。

　　FMM 掩模版為顯示屏生產(chǎn)必不可少的一個材料。在AMOLED 的生產(chǎn)中，F(xiàn)MM 主要運用于AMOLED 段RGB 材料的蒸鍍所用。

　　產(chǎn)線上使用FMM 蒸鍍AMOLED 時，除去在較高溫度下（80℃左右）金屬形變和金屬熱膨脹的不利影響外，隨著FMM 尺寸的變大，F(xiàn)MM 中部亦容易產(chǎn)生形變，導(dǎo)致蒸鍍材料的錯位，并最終產(chǎn)生EML 層錯位混色和金屬過孔無法覆蓋等現(xiàn)象。

　　因為在現(xiàn)階段FMM 很難兼顧大面積、低重量、低熱膨脹系數(shù)的要求，所以在產(chǎn)線上往往在cell 段對做完TFT 的玻璃基板采取切半或切四的方法進(jìn)行蒸鍍以提高良率。

　　Table L2 FMM 主要參數(shù)(4)

　　因為蒸鍍材料會在FMM上沉積，所以FMM從理論上而言是一種昂貴的易耗品。在產(chǎn)線上生產(chǎn)時，F(xiàn)MM在進(jìn)行數(shù)次蒸鍍后都需要進(jìn)行清洗，而同一個工藝段往往需要多塊FMM作為備用且相互輪流進(jìn)行蒸鍍以保證生產(chǎn)的效率。

　　生產(chǎn)FMM的方式主要有三種(1)：蝕刻、電鑄和多重材料復(fù)合。

　　主要的OLED面板用如大日本印刷(Dai Nippon Printing)、凸版印刷(TOPPAN)和達(dá)運等均采用蝕刻技術(shù)；

　　而日本Athene與Hitachi Maxell則更擅長與電鑄領(lǐng)域(版厚約5 um)；

　　多重材料復(fù)合法主要采用樹脂和金屬材料混合以制作FMM以應(yīng)對熱膨脹，V-Technology目前具有做到厚度為5um，且成膜精度位置為2um FMM的能力（向1 um發(fā)展）(1)。

　　Table L3 FMM Supplier(2)