在透明非結晶氧化物半導體國際會議“International Workshop on transparent amorphous oxide semiconductors（TAOS 2010）”（1月25～26日，東京工業大學SUZUKAKEDAI校區）首日主題演講會之后舉行的“FPD I”研討會上，代表日本和韓國的3家FPD企業分別發布了透明氧化物半導體TFT的最新開發成果。夏普、韓國LG顯示器及韓國三星電子（Samsung Electroncis）依次登臺演講。三家公司對透明氧化物半導體TFT的優勢及目標用途的認識基本一致。為了確保可靠性達到實用水平，三方已展開激烈競爭。
最先發表演講的是夏普。演講內容是已在2009年12月舉行的學會“International Display Workshops（IDW）”上公開過的、使用透明氧化物半導體IGZO（In, Ga, Zn, O）的2.6英寸QVGA（320×240像素素）TFT液晶面板（參閱本站報道）。夏普稱，這種面板解決了IGZO濺射工藝穩定性及IGZO-TFT可靠性兩方面的問題。夏普還稱，IGZO-TFT的可靠性可與普通TFT液晶面板使用的非結晶硅TFT相當。試制的液晶面板為TN模式、灰階為6bit、對比度為300：1。該公司還將試制面板帶入會場內的展示區，現場演示了彩色影像的顯示情況。
韓國雙雄LG和三星展開競爭
兩家韓國公司均首次公開了新數據。LG顯示器首先發表了演講，演講內容包括，（1）在刻蝕阻擋層（Etch Stopper）中采用SiO2的IGZO-TFT；（2）在IGZO層上形成TiOx膜的新結構IGZO-TFT的開發。
關于（1）中提及的SiO2刻蝕阻擋結構的IGZO-TFT，LG提到了原來存在的問題——“光對TFT特性造成的影響”，并稱“即使在4500cd/㎡亮度的背照燈光條件下，也可確保充分的可靠性”。另外，關于外光及溫度的影響，LG稱沒有問題。LG目前正在使用這種IGZO-TFT，開發15英寸電視用有機EL面板。每個像素由5個晶體管和兩個電容器組成。像素數為1366×768，亮度為200cd/㎡。
至于（2）中提到的設有TiOx膜的IGZO-TFT，LG稱與SiO2刻蝕阻擋結構的IGZO-TFT相比，制造工藝簡單，而且成本低。該公司此次還提到了IGZO-TFT的性能及可靠性，稱“與SiO2刻蝕阻擋結構的IGZO-TFT相當”。據稱遷移率可達到9cm2/Vs以上。
三星電子的演講內容包括，（a）基于6步光掩模工藝的刻蝕阻擋結構IGZO-TFT的開發；（b）在液晶面板的底板使用IGZO-TFT時的長期可靠性；（c）IGZO-TFT面板的試制等三個方面。關于（a）中提到的基于6步光掩模工藝的刻蝕阻擋結構IGZO-TFT，三星稱可開發出高性能TFT。該公司表示，能夠獲得遷移率為5～7cm2/Vs、NBTS（negative bias temperature stress）穩定性低于1V的出色性能。據稱光對斷態電流產生的影響也小于非晶硅TFT，而且十分穩定。
（b）中提及的用于液晶面板時的長期可靠性，仍是今后的研究課題。三星指出了光會造成閾值電壓隨偏壓應力（Bias Stress）變化加快的問題。這會造成液晶面板顯示混亂。作為最新的研究案例，該公司介紹了亮度為10000cd/m2的白色LED背照燈光的影響。關于（c）中提到的IGZO-TFT面板試制，三星介紹了顯示器用17英寸SXGA液晶面板，以及內置柵極驅動器（Gate Driver）的個人電腦用15.1英寸WXGA液晶面板。該公司還將15.1英寸WXGA液晶面板帶入會場內的展示區，現場演示了彩色影像的顯示。
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